半導(dǎo)體放電管是一種雙向二端半導(dǎo)體器件,其內(nèi)部機構(gòu)與雙向晶閘管十分相似,但沒有觸發(fā)門,是電壓自觸發(fā)器件。它是在單晶片兩面同時采用平面工藝摻雜同種雜質(zhì)而形成的兩面結(jié)構(gòu)完全相同的器件。選用不同的材料和工藝,可以做出各種不同的電壓和電流的放電管
固體放電管是基于晶閘管原理和構(gòu)造的一種兩端負(fù)阻器材。能夠吸收突波,按捺過高電壓,達(dá)到維護易損組件的目的。該器材是在硅單晶片兩面一起摻雜同種雜質(zhì)而構(gòu)成。選用不一樣的材料和工藝,能夠做出各種不一樣電壓和電流的放電管。
固體放電管的作業(yè)原理和一個兩端的可控硅相似,簡述如下:
固體放電管兩面的構(gòu)造基本上是相同的。在運用中兩個極都有加高電位的可能性。在剖析作業(yè)原理時,假定A接高電位,K接低電位,該器材的特性曲線,能夠把導(dǎo)通與阻斷的過程分為四個階段。
1)阻斷區(qū):圖2中的0到VBR段。
此刻器材所加電壓低于擊穿電壓,J1正偏,J2為反偏,電流很小,J2起到了阻擋電流的效果。外加電壓幾乎都加在了J2上,由于漏電流很小,固態(tài)放電管電阻很大,故稱為阻斷區(qū)。
2)雪崩區(qū):VBR到VBO段
所加電壓從VBR逐漸增加到VBO時,J2的空間電荷區(qū)內(nèi)的電場很強,區(qū)的寬度被拉得很寬,區(qū)內(nèi)的載流子在滿足強的電場效果下,產(chǎn)生了倍增效應(yīng),經(jīng)過J2的載流子俄然增加,電流也俄然增大,這即是雪崩區(qū)。
3)負(fù)阻區(qū):VBO到A段
當(dāng)外加電壓增加到大于VBO時由于雪崩效應(yīng)而產(chǎn)生了很多的電子空穴對,此刻這些載流子在電場的強烈的抽取效果下,進入N2區(qū),很多的電子與空穴因不能很快復(fù)合而別離堆集在N2區(qū)和P2區(qū),因而使J2空間電荷區(qū)的電場減弱,降落在J2上的電壓將降低,雪崩效應(yīng)隨之減弱,但外加電壓并不變,這么加在其它結(jié)上的正偏壓要增加,從而使經(jīng)過J2的電流增大,于是,出現(xiàn)了電壓不變而電流增加的負(fù)阻現(xiàn)象。
4)導(dǎo)通區(qū):A到B段
雪崩效應(yīng),使J2空間電荷區(qū)越變越窄且由反偏變成了正偏,這么器材的阻抗變得很低,電流變得很大,于是器材由高阻的阻斷狀況,變成了低阻的導(dǎo)通狀況,其伏安特性曲線類似于整流元件的正向特性。
從上述原理中能夠看出,當(dāng)外加電壓低于VBR時,漏電流很小,處于斷開狀況。不影響被維護組件的正常作業(yè)。當(dāng)外加電壓大于VBO時,放電管很快進入導(dǎo)通狀況,壓降很小,起到了維護效果。外加電壓去掉后,電流很快就降到低于維持電流IH,放電管自然恢復(fù),回到斷開狀況。
綜上所述,該器材的長處是導(dǎo)通電壓小,幾乎無熱耗,可重復(fù)運用,能接受較大的沖擊電流,呼應(yīng)快,運用安全、可靠,其功能優(yōu)于其它剎那間過壓維護元器材。

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